Philips Semiconductors Product specification
Rectifier diodes BYQ30E, BYQ30EB, BYQ30ED series
ultrafast, rugged
Fig.7. Maximum trr
at T
j
= 25 ?C; per diode
Fig.8. Maximum Irrm
at T
j
= 25 ?C; per diode
Fig.9. Typical and maximum forward characteristic
IF
= f(V
F); parameter Tj
Fig.10. Maximum Qs
at T
j
= 25 ?C; per diode
Fig.11. Transient thermal impedance; per diode;
Zth j-mb
= f(t
p).
1
1 10 100
10
trr / ns
1000
100
dIF/dt (A/us)
IF=1A
IF=10A
10
1.01.0 10 100
-dIF/dt (A/us)
100
Qs / nC
IF=10A
2A5A1A
10
1
0.1
0.01
Irrm / A
1
10 100
-dIF/dt (A/us)
IF=1A
IF=10A
T
t
0.0011us 10us 100us 1ms 10ms 100ms 1s 10s
0.01
0.1
1
10
Transient thermal impedance, Zth j-mb (K/W)
BYQ30E
pulse width, tp (s)
D =
tp
T
tp
PD
0
0 0.5 1 1.5 2
5
10
15
20
Forward current, IF (A)
BYQ30
Forward voltage, VF (V)
typ
max
Tj = 25 C
Tj = 150 C
October 1998 4 Rev 1.200
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